局部拋光和一全面拋光的GaAs半導(dǎo)體基板。量測(cè)樣品是利用切割制程將塊狀單晶(Bulk Single-Crystal)切割成量測(cè)用之獨(dú)特基板，并透過Taylor Hobson干涉儀來(lái)量測(cè)，驗(yàn)證GaAs基板會(huì)因局部拋光而產(chǎn)生殘馀損傷(residual damage)。這個(gè)局部拋光基板呈現(xiàn)0.36 nm均方根值(root mean square, RMS)粗糙度，且有一因切割損傷而造成特殊而明顯急劇變化的特征。而全面拋光樣品基板(圖二b)有遠(yuǎn)低于0.16nm的均方根表面粗糙度。這個(gè)圖表示即使極高品質(zhì)的傳統(tǒng)半導(dǎo)體表面，依然會(huì)些微急劇變化的特征存在于有刮痕的晶面背景下。

利用這個(gè)方法可以簡(jiǎn)單的獲得這些影像，且這個(gè)技術(shù)的操作要求就如同操作一般光學(xué)顯微鏡同樣簡(jiǎn)單。此外，設(shè)備操作前的裝置時(shí)間(Setup time)很短，且獲得如圖二的影像僅需90秒。相較之下，AFM要獲得類似的小面積影像，就已經(jīng)需要約15分鐘的量測(cè)時(shí)間及同等的裝置時(shí)間。而AFM在樣品與探針間也牽扯複雜的接觸模式，且需要熟練且經(jīng)驗(yàn)豐富的操作員操作，以確保量測(cè)結(jié)果的可靠性。