本文標(biāo)題："測(cè)試和檢驗(yàn)對(duì)芯片或管殼做機(jī)械試驗(yàn)和可靠性試驗(yàn)"

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測(cè)試和檢驗(yàn)對(duì)芯片或管殼做機(jī)械試驗(yàn)和可靠性試驗(yàn)

    結(jié)的密封為了減小器件對(duì)工作環(huán)境的敏感性，貝爾(13011)
系統(tǒng)的硅集成電路一律要經(jīng)過(guò)結(jié)的密封處理。結(jié)密封是由氮化硅
層和貴金屬接點(diǎn)系統(tǒng)構(gòu)成的，可防止環(huán)境雜質(zhì)通過(guò)氧化硅擴(kuò)散到
硅表而而造成芯片電氣性能的下降。氮化硅能阻止鈉離子和其他
已知的污染媒介物的滲透。但是，氮化硅層必須完整，不能有針
孔和裂縫，因此，為了保證結(jié)密封的質(zhì)敏，對(duì)氮化硅淀積系統(tǒng)規(guī)定
了嚴(yán)格的檢驗(yàn)要求。
    元件互連芯片內(nèi)各個(gè)電路元件需用很薄的金屬層來(lái)連接。
貝爾系統(tǒng)的硅集成電路，采用金泊作為主要的電路引線，而底層則
采用鉑和欽以附肴在氮化硅層上。那些制造廠不管是否具有真空
密封設(shè)備，根據(jù)可靠性的要求來(lái)考慮是否采用鋁接點(diǎn)。金鉑接點(diǎn)
和氮化硅組成了目前可靠的表面密封。
      測(cè)試和檢驗(yàn)
    電路在完成金屬化之后，需通過(guò)試驗(yàn)才能保證符合電氣性能
要求。除了基本的電氣試驗(yàn)外，對(duì)芯片或管殼還需做機(jī)械試驗(yàn)和
可靠性試驗(yàn)，試驗(yàn)合格的芯片拿去封裝，這樣能保證成品符合規(guī)定
的壽命指標(biāo)。通常，這些試驗(yàn)都帶有破壞性，所以僅在型式試驗(yàn)中
進(jìn)行。梁式引線器件的典型試驗(yàn)項(xiàng)目是硅的外形尺寸檢查、粘結(jié)
力、抗彎力和簧片強(qiáng)度試驗(yàn)。溫度和功率老化則主要用作可靠性
試驗(yàn)。

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